Osram yn ehangu'r gwaith o gynhyrchu LEDs perfformiad uchel
Wrth ehangu graddfa'r ddwy ffatri gweithgynhyrchu sglodion, mae Osram Opto Semiconductors hefyd wedi'u huwchraddio i ganolfannau gweithgynhyrchu 6 modfedd, gan gynyddu allbwn yn sylweddol. Yn eu plith, mae canolfan Penang ym Malaysia yn adeiladu adeilad cynhyrchu, tra bod canolfan Regensburg yn yr Almaen yn ailddosbarthu'r gwaith presennol. Bydd y ddwy ganolfan yn mabwysiadu technolegau gweithgynhyrchu newydd ac yn cyflwyno wafers 6 modfedd i gymryd lle'r wafers 4 modfedd presennol. Ar ôl cymryd y mesurau hyn, erbyn diwedd 2012, disgwylir i allbwn sglodion LED gwyn ddyblu.
Drwy'r gyfres hon o fesurau, bydd Osram Opto Semiconductors yn manteisio ar botensial twf y farchnad LED ryngwladol i ehangu gallu cynhyrchu ei ddwy ganolfan gweithgynhyrchu sglodion yn Regensburg a Phenang, gan gyfuno ymhellach ei safle blaenllaw yn y farchnad ryngwladol. Mae gwaith gweithgynhyrchu sglodion Penang wedi'i agor ers llai na dwy flynedd, ac erbyn hyn mae ganddo amser da i ehangu ac uwchraddio i sylfaen gweithgynhyrchu wafer 6 modfedd. Bydd cyfanswm arwynebedd y ffatri yn codi i 25,000 metr sgwâr erbyn 2012 a bydd 400 o swyddi newydd yn cael eu hychwanegu. Ar safle Regensburg, bydd y lle sydd ar gael yn cael ei ail-gynllunio, a bydd y cynhyrchiad InGaN (Indium Gallium Nitride) yn cael ei uwchraddio'n raddol mor gynnar â haf 2011.
Dywedodd Mr. Aldo Kamper, Prif Swyddog Gweithredol Osram Opto Semiconductors: "Drwy ehangu gallu cynhyrchu sglodion InGaN perfformiad uchel, rydym yn parhau i atgyfnerthu ein sefyllfa yn y farchnad. Mae gan y farchnad LED botensial twf mawr mewn llawer o wahanol feysydd ymgeisio, a byddwn yn parhau i'w defnyddio. Mae'r sbardun hwn yn parhau i dyfu. Mae OSRAM Opto Semiconductors yn gyswllt pwysig yng nghadwyn gwerth ychwanegol technoleg LED OSRAM."
Bydd yr ehangu capasiti hwn yn effeithio'n bennaf ar sglodion InGaN gan ddefnyddio ffilm denau a thechnoleg UX:3, sy'n angenrheidiol ar gyfer cynhyrchu LEDs gwyn. Yn y dyfodol, bydd y sglodion hyn yn cael eu cynhyrchu ar wafers 6 modfedd o'r dechrau, yn hytrach na bod yn seiliedig ar y gwragedd diamedr 4 modfedd presennol.
